器件降低开关损耗并提高效率，Qrr 低至105 nC，VF 低至 1.45 V，结电容低，恢复时间短。
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用eSMP®系列SlimSMA HV（DO-221AC）封装的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通过AEC-Q101认证的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3，进一步扩充其第七代1200 V FRED Pt® 超快恢复整流器平台阵容。1 A和2 A整流器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，而且结电容更低，恢复时间更短。
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用eSMP®系列SlimSMA HV（DO-221AC）封装的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通过AEC-Q101认证的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3，进一步扩充其第七代1200 V FRED Pt® 超快恢复整流器平台阵容。1 A和2 A整流器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，而且结电容更低，恢复时间更短。
日前发布的Vishay Semiconductors整流器包括VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通过AEC-Q101认证的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3。为了降低开关损耗并提高效率，器件融合了低至 45 ns 的快速恢复时间，低至 105 nC 的Qrr（典型值），低至 1.45 V 的正向压降和低至2.5 pF的结电容等特点。性能可靠的整流器采用2.6 mm x 5.2 mm小型封装，非重复峰值浪涌电流高达 21 A，厚度低至0.95 mm，而类似封装尺寸的SMA封装器件为2.3 mm。器件最小爬电距离仅3.2 mm，模塑料相对漏电起痕指数（CTI）≥ 600（材料组别 I），在满足IEC 60664-1高压应用要求的基础上，有助于减少元件数量，降低物料清单（BOM）成本。
VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212-M3和VS-E7JX0212HM3可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si / SiC MOSFET提供去饱和保护。器件的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车（EV）车载充电器和电机、发电和储能系统，以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。
整流器采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统的可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度减少开关损耗并降低功耗。器件符合RoHS标准，无卤素，潮湿敏感度达到 J-STD-020 标准 1 级，可在 +175 °C 高温下工作。
器件规格表：
产品编号 | VS-E7JX0112-M3 | VS-E7JX0112HM3 | VS-E7JX0212-M3 | VS-E7FX0212HM3 |
| IF(AV)
| 1 A | 1 A | 2 A | 2 A |
| VR
| 1200 V |
| IF下的VF | 1.45 V | 1.45 V | 1.60 V | 1.60 V |
| trr | 50 ns | 50 ns | 45 ns | 45 ns |
Qrr | 105 nC | 105 nC | 165 nC | 165 nC |
| CT | 2.5 pF | 2.5 pF | 3.0 pF | 3.0 pF |
IFSM | 14 A | 14 A | 21 A | 21 A |
| 封装
| SlimSMA HV (DO-221AC) |
| AEC-Q101 | 否 | 是 | 否 | 是 |
新型第七代整流器现可提供样品并已实现量产，供货周期为8周。
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